英飞凌（Infineon）宣布，已成功在奥地利菲拉赫的工厂的工厂将300mm碳化硅（SiC）晶圆加工成功能性功率器件，成为了全球首个完成这一创举的半导体公司。这一成就体现了英飞凌对为客户提供高性能硅碳功率半导体产品组合，以及确保长期供应的高度重视。

与目前的200mm晶圆相比，300mm晶圆的生产技术更先进，效率也更高，因为更大的晶圆直径允许每片晶圆生产更多的芯片，可达到原来的2.3倍。这次英飞凌成功地将300mm碳化硅晶圆从实验室带入到制造环境中，取得了重大进展，这一技术里程碑进一步巩固了其在电力系统领域的领导地位。

英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示，在功率半导体领域的领导地位意味着要不断将技术推向新的高度，凭借硅、氮化镓、以及如今的300mm碳化硅晶圆，英飞凌在扩大半导体制造规模和推动盈利性增长方面处于领先位置。

碳化硅的材料特性使得在高电压高温下实现更低的功率损失、更高的功率密度、更高效的运行，是实现高效功率转换的关键半导体材料，可用于牵引逆变器、车载充电器、电动汽车充电器、大规模储能、以及不间断电源等。随着数据中心需求上升，碳化硅将承担新的角色，而英飞凌将通过广泛的产品组合来满足这些需求。

与此同时，英飞凌还在其德国德累斯顿工厂里成功验证了300mm碳化硅冷分片技术的可行性，可提升晶锭到晶圆工艺的效率，减少加工损耗，而且还可以显著缩短处理时间，资本支出更少。英飞凌能够根据市场需求扩展碳化硅技术，以满足客户不断变化的需求。