过去几年里，伴随着大规模的人工智能（AI）和高性能计算（HPC）设施建设，先进封装技术越来越受到大家的关注。三星确信先进封装在其下一代半导体业务中发挥关键作用，为此还专门改造了先进封装供应链，并推进新的先进封装技术开发工作。
据TrendForce报道，为了巩固自身在AI芯片制造方面的地位，三星正在加快先进封装技术的开发，目标是在2027年初完成下一代3D Cube-H的开发。其利用了混合键合技术，以实现逻辑芯片的垂直堆叠，而非常见的并列排放，从而在同一封装内实现更高的晶体管密度。
三星已经开发出利用热压缩（TC）键合技术的3D Cube-T，希望能通过混合键合技术，实现更紧密的芯片间连接。据了解，3D Cube-H的互连间距约为6微米（μm），比起3D Cube-T最小的25微米要紧凑得多。
三星计划计划于2027年初完成首个设计套件，随后与潜在客户进行评估。如果3D Cube-H的开发获得成功，可能会对三星晶圆代工业务产生更广泛的影响，可以增强其在下一代AI半导体领域的竞争力，为争夺大型科技公司的芯片制造订单奠定基础。
